MRFG35002N6AT1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 7. Common Source S--Parameters
(VDD
=6Vdc,IDQ
=65mA,TA
=25°C, 50 Ohm System)
f
MHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
500
0.910
--175.1
5.223
82.8
0.036
0.0
0.703
--176.6
550
0.911
--176.9
4.775
80.9
0.036
-- 1 . 2
0.702
--177.9
600
0.911
--178.5
4.396
79.1
0.036
-- 2 . 3
0.701
--179.1
650
0.911
--179.9
4.078
77.4
0.037
-- 3 . 3
0.699
179.6
700
0.910
178.8
3.808
75.7
0.037
-- 4 . 4
0.698
178.5
750
0.910
177.7
3.574
74.0
0.037
-- 5 . 3
0.697
177.3
800
0.910
176.6
3.371
72.5
0.037
-- 6 . 2
0.696
176.1
850
0.910
175.7
3.191
70.9
0.037
-- 7 . 1
0.695
175.0
900
0.910
174.9
3.029
69.4
0.037
-- 7 . 8
0.694
173.8
950
0.910
174.2
2.883
67.9
0.037
-- 8 . 7
0.693
172.7
1000
0.909
173.4
2.748
66.3
0.037
-- 9 . 5
0.692
171.5
1050
0.910
172.7
2.632
65.0
0.037
--10.3
0.692
170.3
1100
0.910
172.1
2.520
63.5
0.038
-- 11 . 0
0.691
169.1
1150
0.909
171.4
2.421
62.0
0.038
-- 11 . 9
0.690
168.0
1200
0.910
170.8
2.329
60.6
0.038
--12.6
0.691
167.0
1250
0.909
170.1
2.246
59.2
0.038
--13.3
0.690
165.9
1300
0.908
169.5
2.168
57.8
0.038
--14.1
0.689
164.9
1350
0.907
168.8
2.097
56.4
0.038
--14.9
0.689
164.0
1400
0.907
168.1
2.030
54.9
0.038
--15.4
0.690
163.0
1450
0.907
167.2
1.968
53.5
0.038
--16.4
0.690
162.1
1500
0.906
166.3
1.911
52.0
0.038
--17.1
0.690
161.3
1550
0.904
163.0
1.874
50.4
0.039
--18.0
0.687
162.6
1600
0.903
162.2
1.823
49.0
0.039
--18.8
0.686
161.8
1650
0.903
161.3
1.775
47.6
0.039
--19.6
0.685
161.0
1700
0.903
160.5
1.729
46.2
0.039
--20.5
0.686
160.1
1750
0.902
159.8
1.686
44.7
0.039
--21.0
0.686
159.3
1800
0.902
158.9
1.645
43.3
0.039
--21.8
0.685
158.4
1850
0.901
158.1
1.607
41.9
0.039
--22.5
0.685
157.5
1900
0.901
157.4
1.570
40.5
0.039
--23.3
0.686
156.7
1950
0.902
156.6
1.535
39.1
0.039
--24.1
0.686
155.8
2000
0.901
155.9
1.502
37.7
0.039
--24.9
0.686
155.0
2050
0.901
155.1
1.470
36.3
0.039
--25.6
0.686
154.1
2100
0.901
154.3
1.441
34.9
0.040
--26.5
0.685
153.4
2150
0.906
153.3
1.415
33.5
0.040
--27.2
0.689
152.3
2200
0.900
152.8
1.388
32.0
0.040
--28.1
0.686
151.8
2250
0.900
151.9
1.364
30.6
0.040
--28.7
0.685
150.9
2300
0.899
151.0
1.342
29.2
0.040
--29.6
0.684
150.0
2350
0.898
150.2
1.321
27.7
0.040
--30.3
0.683
149.2
2400
0.899
149.3
1.302
26.2
0.040
--31.4
0.683
148.4
2450
0.897
148.4
1.284
24.8
0.041
--32.1
0.681
147.4
2500
0.896
147.4
1.268
23.3
0.041
--33.2
0.679
146.6
2550
0.896
146.5
1.254
21.8
0.041
--34.1
0.678
145.7
2600
0.893
145.4
1.240
20.2
0.041
--34.8
0.675
144.8
2650
0.894
144.5
1.227
18.7
0.042
--35.6
0.674
143.9
2700
0.891
143.4
1.216
17.2
0.042
--36.7
0.672
142.9
2750
0.891
142.4
1.206
15.6
0.042
--37.4
0.669
142.0
(continued)
LIFETIME BU
Y
LAST ORDER 1 JUL 11 LAST SHIP 30 JUN 12
相关PDF资料
MRFG35002N6T1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003ANT1 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003M6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1 TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
MRFG35003N6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35005ANT1 TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5
相关代理商/技术参数
MRFG35002N6R5 功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1 功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1_08 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003ANR5 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003ANT1 功能描述:射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35003M6R5 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1 功能描述:MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35003M6T1_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor